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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

Broadcom GAN039-650NBB半橋評(píng)估板

H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持有刷直流電動(dòng)機(jī)(最大電壓48 V、最小電壓12 V、最大電流5 A)運(yùn)行。該控制電路的輸入電壓范圍為12-48V,適用于功率高達(dá)250 W的電機(jī)。本設(shè)計(jì)的主要特色是所有電子功能均采用汽車級(jí)Nexperia分立器件、MOSFET器件和邏輯器件(經(jīng)濟(jì)高效,無(wú)需微控制器或軟件)。此外,該H橋電機(jī)控制器PCB還為用戶提供了三種Nexperia MOSFET封裝選項(xiàng)(LFPAK33、LFPAK56D或LFPAK56)。

PCB視圖和效率

  • 該評(píng)估板使用第二代33 mΩ GaN FET,由Broadcom的雙通道ACFJ-3262直接驅(qū)動(dòng)。
  • 可配置為降壓和升壓拓?fù)?/li>
  • 利用Nexperia GaN FET GAN039-650NBB,通過硬開關(guān)操作進(jìn)行演示,轉(zhuǎn)換效率高達(dá)99%
  • CCPAK GaN FET封裝技術(shù)可實(shí)現(xiàn)超低電感,從而可以降低開關(guān)損耗和EMI

板上的產(chǎn)品 (1)

Type number Description Status Quick access
GAN039-650NBB 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package Production

板上的產(chǎn)品 (1)

Type number Description Status Quick access
GAN039-650NBB 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package Production

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