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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

碳化硅(SiC)肖特基二極管

碳化硅肖特基二極管,適用于快速開關(guān)電源轉(zhuǎn)換

Nexperia適合超高性能、低損耗和高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的領(lǐng)先碳化硅(SiC)肖特基二極管。碳化硅肖特基二極管具有不受溫度影響的電容關(guān)閉和零恢復(fù)開關(guān)特性,以及出色的品質(zhì)因數(shù)(Qc x VF)。合并PiN肖特基二極管提高了穩(wěn)健性,可耐受高IFSM。

主要特性

  • 零正向和反向恢復(fù)
  • 開關(guān)性能不受溫度影響
  • 開關(guān)操作快速流暢
  • 高IFSM能力
  • 低泄漏電流
  • 易于并聯(lián)/正溫度系數(shù)
  • 出色的品質(zhì)因數(shù)(Qc x VF)
  • 高達(dá)175 °C結(jié)溫的熱穩(wěn)定性
  • AEC-Q101質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

關(guān)鍵應(yīng)用

  • 工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用
  • 開關(guān)模式電源(SMPS)
  • 交流-直流和直流-直流轉(zhuǎn)換器
  • 電池充電基礎(chǔ)設(shè)施
  • 服務(wù)器和電信電源
  • 不間斷電源(UPS)
  • 光伏逆變器

汽車應(yīng)用:

  • 車載充電器(OBC)
  • 逆變器
  • 高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器

主要優(yōu)勢(shì)

  • 高功率密度
  • 降低系統(tǒng)成本
  • 系統(tǒng)小型化
  • 高溫工作
  • 減少EMI
  • 提高了耐用性和可靠性

參數(shù)搜索

Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes
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參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問
PSC0665B1 650 V, 6 A SiC Schottky diode in bare die Production
PSC0665H 650 V, 6 A SiC Schottky diode in DPAK R2P Production
PSC0665K 650 V, 6 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P Production
PSC1065B1 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die Production
PSC1065B1-Q 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die for automotive applications Production
PSC1065H 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P Production
PSC1065H-Q 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P for automotive applications Production
PSC1065K 650 V, 10 A SiC Schottky diode in TO-220-2 R2P Production
PSC1665J 650 V, 16 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P Production
PSC1665L 650 V, 16 A SiC Schottky diode in TO247 R2P Production
PSC2065J 650 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P Production
PSC2065L 650 V, 20 A SiC Schottky diode in TO247 R2P Production
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Brochure (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
nexperia_DIODE_Handbook.pdf Nexperia DIODE Handbook Chinese Brochure 2023-09-20

Leaflet (3)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
2024_0001_NEX_158_Factsheet_SiC_Diode_update_August_v1.pdf New Silicon Carbide Diode portfolio for high-power Leaflet 2024-08-26
Nexperia_document_factsheet_SiC_CN.pdf SiC肖特基二極管 全新高功率碳化硅二極管產(chǎn)品組合 Leaflet 2022-04-25
Nexperia_document_SiC-factsheet.pdf SiC Schottky Diodes - New Silicon Carbide Diode portfolio for high-power Leaflet 2021-11-05

Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
RS2175_D2PAK_SOT404_B_mk_2-pin.png D2PAK SOT404_B MARCOM graphic Marcom graphics 2021-10-29

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

Technical note (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
TN90007.pdf Evaluation of junction temperature and thermal stacks using the virtual junction Technical note 2024-09-02

White paper (2)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese_FINAL_version.pdf 2023-0001_NEX_080_Whitepaper_SiC-diodes_Chinese White paper 2023-06-08
2023-0001_NEX_029_Whitepaper_SiC-diodes_V04.pdf Whitepaper SiC diodes White paper 2023-04-21

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