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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

低噪聲晶體管

最大程度降低音頻和傳感系統(tǒng)中的噪聲

噪聲在許多應(yīng)用中都是關(guān)鍵因素,尤其是在涉及到音頻或傳感操作的應(yīng)用中。為使設(shè)計(jì)中的晶體管噪聲保持最低,我們的低噪聲器件是不二之選。但是,這并不意味著我們對(duì)于這些器件的高性能與小封裝特性也要保持“低噪聲”。

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • 噪聲指數(shù)NF最大值:4 dB
  • IC:100 mA
  • 小型封裝
  • VCEO:30 V和45 V(PNP和NPN)

關(guān)鍵應(yīng)用

  • 音頻和傳感器放大

參數(shù)搜索

Low noise transistors
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參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
BC849W; BC850W NPN general purpose transistors ACT
BC849BW NPN general purpose transistors Production
BC849CW NPN general purpose transistors Production
BC850BW NPN general purpose transistors Production
BC850CW NPN general purpose transistors Production
BC859; BC860 PNP general purpose transistors ACT
BC859B PNP general purpose transistors Production
BC859C PNP general purpose transistors Production
BC860B PNP general purpose transistors Production
BC860C PNP general purpose transistors Production
BC859W; BC860W PNP general purpose transistors ACT
BC859BW PNP general purpose transistors Production
BC859CW PNP general purpose transistors Production
BC860BW PNP general purpose transistors Production
BC860CW PNP general purpose transistors Production
BC849B NPN general purpose transistor Production
BC849C NPN general purpose transistor Production
BC850B NPN general purpose transistor Production
BC850C NPN general purpose transistor Production
BC850C-Q NPN general purpose transistor Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
SOT23_mk.png plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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交叉參考