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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

PNP general-purpose transistors in a very small SOT323 (SC-70), Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Table 1. Product overview

Type number

Package

NPN complement

Nexperia

JEDEC

BC856W-Q

SOT323

SC-70

BC846W-Q

BC856AW-Q

BC846AW-Q

BC856BW-Q

BC846BW-Q

BC857W-Q

BC847W-Q

BC857AW-Q

BC847AW-Q

BC857BW-Q

BC847BW-Q

BC857CW-Q

BC847CW-Q

BC858W-Q

BC848W-Q

主要特性和優(yōu)勢

Features and benefits

  • Low current (max. 100 mA)

  • Low voltage (max. 65 V)

  • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

關(guān)鍵應(yīng)用

Applications

  • General-purpose switching and amplification

Products

Automotive qualified products (AEC-Q100/Q101)

型號 描述 狀態(tài) 快速訪問
BC857BW-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production
BC857W-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production
BC858W-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production
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BC857CW-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production
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Bipolar transistors

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BC857CW-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production
BC856AW-Q 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Production

Documentation

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
sot323_3d.png plastic, surface-mounted package; 3 leads; 1.3 mm pitch; 2 mm x 1.25 mm x 0.95 mm body Outline 3d 2021-06-10
BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Data sheet 2023-07-10
vp_BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.zip 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors Value proposition 2023-07-10

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