Nexperiaは業(yè)界をリードする1200Vのシリコン?カーバイド（SiC）MOSFETを、D²PAK-7表面実裝（SMD）パッケージに封止して提供すると発表しました。R_DSon値は30、40、60、80mΩから選択可能です。今回発表した新製品は2023年後半にリリースした3ピン/4ピンTO-247封止のディスクリートSiC MOSFETの2製品に続くものです。これを皮切りに、SiC MOSFETポートフォリオは急速に拡充され、R_DSon値17、30、40、60、80mΩのデバイスをフレキシブルなパッケージ?オプションで提供します。

今回発表したNSF0xx120D7A0はD²PAK-7などのSMDに封止された高性能SiCスイッチに対する市場の需要の高まりに対応するものです。D²PAK-7は電気自動車（EV）の充電（充電ステーション、オフボード充電）、無停電電源裝置（UPS）、太陽光発電/蓄電システム（ESS）用インバータなど、多様な産業(yè)用アプリケーションで普及が進(jìn)んでいます。また、今回の発表はNexperiaと三菱電機(jī)株式會社（MELCO）の戦略的提攜の成功を示すものでもあります。両社は協(xié)力してSiCワイドバンドギャップ半導(dǎo)體のエネルギー効率と電気特性をさらに高いレベルに押し上げると共に、増大し続ける市場ニーズに応えるため、このテクノロジーの生産能力を今後も増強(qiáng)していきます。

R_DS(on)は導(dǎo)通損失に影響するため、SiC MOSFETにおいて重要な性能パラメータとされています。

しかし、多くのメーカーは公稱値にフォーカスを當(dāng)てており、デバイスの動作溫度が上昇すると公稱値が100%以上増加し、大幅な導(dǎo)通損失が生じるという事実が無視されています。Nexperiaではこの點が現(xiàn)在市販されている多くのSiCデバイスの性能における制約要因であると考え、革新的なプロセス技術(shù)の特長を活かして25℃～175℃の動作溫度範(fàn)囲でR_DS(on)公稱値の増加がわずか38%という、業(yè)界でもトップクラスの溫度安定性を持つ新しいSiC MOSFETを開発しました。

非常に厳格なしきい値電圧V_GS(th)仕様を設(shè)けることにより、NexperiaのディスクリートMOSFETは並列接続時にバランスの取れた通電性能を発揮します。さらに、ボディ?ダイオード順方向電圧（V_SD）が低いため、デバイスの堅牢性と効率を高める一方で、フリーホイール動作時のデッドタイム要件を緩和します。

NexperiaのSiC MOSFETについて、詳細(xì)は以下のサイトをご覧ください。https://www.nexperia.com/sic-mosfets

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、歐州、アジア、米國で15,000人以上の従業(yè)員を擁するグローバル半導(dǎo)體企業(yè)です。Nexperiaは必要不可欠な半導(dǎo)體の開発?製造におけるエキスパートとして、自動車、産業(yè)からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機(jī)器の基本機(jī)能を?qū)g現(xiàn)する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷臺數(shù)は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業(yè)界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規(guī)格への準(zhǔn)拠に現(xiàn)れています。

Nexperia: Efficiency wins.

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