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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

NEVB-NEH2000BY-4V2能源采集評(píng)估板

Nexperia NEVB-NEH2000BY-4V2板可助您輕松評(píng)估NEH2000BY能量采集PMIC。設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單且結(jié)構(gòu)非常緊湊,是進(jìn)行能源采集的理想選擇。外形小巧,可輕松集成到原型應(yīng)用中。
 

NEVB-NEH2000BY-4V2

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單
    • 可輕松連接到采集器、存儲(chǔ)元件和負(fù)載
    • 即插即用:無(wú)需預(yù)編程
    • 測(cè)試接口簡(jiǎn)單

 

  • 4.2 V過(guò)壓保護(hù)(OVP)芯片具備電池保護(hù)功能,該芯片與最高電壓為4.2 V及以上的電池(例如LiPo)兼容。具體的存儲(chǔ)元件選擇取決于應(yīng)用設(shè)計(jì)。

 

  • 緊湊的尺寸
    • 17 mm x 10 mm
    • 可嵌入空間有限的應(yīng)用中

板上的產(chǎn)品 (1)

Type number Description Status Quick access
NEH2000BY Energy harvesting PMIC Production

相關(guān)板塊 (1)

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文檔 (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
UM90020 NEH2000BY PMIC evaluation boards user guide User manual 2023-07-11