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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74AUP2G16GX

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

參數(shù)類型

型號(hào) Package name
74AUP2G16GX X2SON6

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74AUP2G16GX 74AUP2G16GXZ
(935307653147)
Obsolete 5A According NX3-00133 According NX3-00133 SOT1255
X2SON6
(SOT1255)
SOT1255 REFLOW_BG-BD-1
SOT1255_147

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74AUP2G16GX 74AUP2G16GXZ 74AUP2G16GX rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (8)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_document_guide_MiniLogic_MicroPak_201808 MicroPak leadless logic portfolio guide Brochure 2018-09-03
aup2g16 74AUP2G16 IBIS model IBIS model 2015-10-30
Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 Leaflet 2019-04-12
Nexperia_document_leaflet_Logic_X2SON_packages_062018 X2SON ultra-small 4, 5, 6 & 8-pin leadless packages Leaflet 2018-06-05
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
X2SON6_SOT1255_mk "plastic, thermal enhanced extremely thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.6 mm pitch; 1 mm x 0.8 mm x 0.35 mm body" Marcom graphics 2017-01-28
SOT1255 plastic, leadless thermal enhanced extremely thin small outline package; 6 terminals; 0.4 mm pitch; 1 mm x 0.8 mm x 0.35 mm body Package information 2022-05-31
REFLOW_BG-BD-1 Reflow soldering profile Reflow soldering 2021-04-06

支持

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模型

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
aup2g16 74AUP2G16 IBIS model IBIS model 2015-10-30

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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