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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74LVC3GU04GM

Triple unbuffered inverter

The 74LVC3GU04 is a triple unbuffered inverter.

Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. These features allow the use of these devices in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

Features and benefits

  • Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

  • Overvoltage tolerant inputs to 5.5 V

  • High noise immunity

  • ±24 mA output drive at VCC = 3.0 V

  • CMOS low power consumption

  • Latch-up performance exceeds 250 mA

  • ESD protection:

    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 exceeds 2000 V

    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V

  • Multiple package options

  • Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C.

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74LVC3GU04GM 74LVC3GU04GM,115
(935277299115)
Obsolete no package information
74LVC3GU04GM,125
(935277299125)
Obsolete

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74LVC3GU04GM 74LVC3GU04GM,115 74LVC3GU04GM rohs rhf rhf
74LVC3GU04GM 74LVC3GU04GM,125 74LVC3GU04GM rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (4)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
74LVC3GU04 Triple unbuffered inverter Data sheet 2023-08-29
AN10161 PicoGate Logic footprints Application note 2002-10-29
AN11009 Pin FMEA for LVC family Application note 2019-01-09
lvc3gu04 74LVC3GU04 IBIS model IBIS model 2015-01-15

支持

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模型

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
lvc3gu04 74LVC3GU04 IBIS model IBIS model 2015-01-15

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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