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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

柵極驅(qū)動(dòng)器

利用Nexperia的柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)具有高效率、高穩(wěn)定性的電源轉(zhuǎn)換

在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于高效率和高穩(wěn)定性轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。Nexperia柵極驅(qū)動(dòng)器系列包括半橋驅(qū)動(dòng)器、低邊驅(qū)動(dòng)器和隔離驅(qū)動(dòng)器,涵蓋MOSFET、IGBT、SiC和GaN等功率器件的驅(qū)動(dòng),以覆蓋廣泛的功率等級(jí)和應(yīng)用場(chǎng)景。

精選產(chǎn)品

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • 豐富的產(chǎn)品組合
  • 一站式供應(yīng)商
  • 低功耗
  • 高可靠性
  • 高質(zhì)量
  • 低ppm
  • AEC Q100 1級(jí)
  • 面向銅線(xiàn)的AEC-Q006標(biāo)準(zhǔn)
  • 工作溫度高達(dá)125°C

  • 博客文章
12月 11, 2024

Choosing the right MOSFET gate driver

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪(fǎng)問(wèn)
NGD4300 ACT
NGD4300D 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Production
NGD4300DD 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Production
NGD4300GC 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Production
NGD4300-Q100 ACT
NGD4300DD-Q100 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Production
NGD4300DD-Q100 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Production
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Data sheet (2)

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
NGD4300_Q100.pdf 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Data sheet 2024-11-11
NGD4300.pdf 4 A peak high-performance dual MOSFET gate driver Data sheet 2024-11-11

Leaflet (1)

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
NGD4300_half_bridge_gate_driver_leaflet.pdf Driving Power with Efficiency: The NGD4300 Half-bridge Gate Driver Leaflet 2024-11-14

Outline 3d (1)

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
sot8063-1_3d.png sot8063-1 3d drawing Outline 3d 2023-01-31

User manual (1)

文件名稱(chēng) 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
UM90032.pdf NGD4300 gate driver evaluation board User manual 2024-09-16

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交叉參考