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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

空間受限電機(jī)的高IDS

Highest current capability up to 500A

高IDS、高熱效、穩(wěn)健性

如今，只要訪問任何一家電動工具零售商店，您就會見證無繩產(chǎn)品市場的發(fā)展?，F(xiàn)在，您可以找到電池供電的螺絲起子、電鉆、鋸子、砂光機(jī)、刨子、角磨機(jī)和許多其他工具——所有規(guī)格都可與電源供電版本相媲美。但是，要在小而緊湊的工具中實(shí)現(xiàn)這一水平的功率和效率可能會很有挑戰(zhàn)性。Nexperia為電動工具電機(jī)控制創(chuàng)造了一個(gè)功率MOSFET產(chǎn)品組合，從而確保實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

用于直流電機(jī)控制的ASFET——高IDS專為滿足緊湊型電池供電工具的需求而設(shè)計(jì)：

  • ID（最大）——直徑為500 µm的內(nèi)部電線，具有多個(gè)接合點(diǎn)，采用LFPAK88封裝時(shí)可提供高達(dá)400 A的電流，
    采用LFPAK56封裝時(shí)可提供高達(dá)300 A的電流，采用TO-220封裝時(shí)可提供高達(dá)150 A的電流，
    可實(shí)現(xiàn)電機(jī)的最大扭矩并可靠處理高負(fù)載和失速電流情況
  • LFPAK56行業(yè)領(lǐng)先的低Rth(j-mb)確保了即使在最緊湊的設(shè)計(jì)中，MOSFET結(jié)溫也能保持在可控范圍內(nèi)
  • Nexperia的低導(dǎo)通電阻特性提供了更高的效率，確保了更長的電池使用壽命
  • 與所有電機(jī)應(yīng)用一樣，存在一定程度的系統(tǒng)振動，無法減弱。LFPAK具有獨(dú)特的電路板級可靠性和穩(wěn)健性。 
  • 許多器件以邏輯電平的方式提供，以便直接通過微控制器進(jìn)行開關(guān)

參數(shù)搜索

High ID for motor overload conditions
數(shù)據(jù)加載中，請稍候...
參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號 描述 狀態(tài) 快速訪問
PSMN1R0-40SSH N-channel 40 V, 1 mΩ, 325 Amps continuous, standard level MOSFET in LFPAK88 using NextPowerS3 Technology Production
PSMN1R0-40YLD N-channel 40 V, 1.1 mΩ, 280 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology Production
PSMN1R0-40YSH N-channel 40 V, 1 mΩ, 290 A standard level MOSFET in LFPAK56E using NextPower-S3 Schottky-Plus technology Production
PSMNR51-25YLH N-channel 25 V, 0.57 mΩ, 380 A logic level MOSFET in LFPAK56E using NextPowerS3 technology Production
PSMNR58-30YLH N-channel 30 V, 0.67 mΩ, 380 A logic level MOSFET in LFPAK56E using NextPowerS3 technology Production
PSMNR60-25YLH N-channel 25 V, 0.7 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 technology Production
PSMNR70-30YLH N-channel 30 V, 0.82 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 technology Production
PSMNR70-40SSH N-channel 40 V, 0.7 mΩ, 425 Amps continuous, standard level MOSFET in LFPAK88 using NextPowerS3 Technology Production
PSMNR90-40YLH N-channel 40 V, 0.94 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56E using NextPower-S3 Schottky-Plus technology Production
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Application note (2)
文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
AN90001.pdf Designing in MOSFETs for safe and reliable gate-drive operation Application note 2024-10-28
AN90016.pdf Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs Application note 2020-09-03

Leaflet (2)
文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
nexperia_document_leaflet_LFPAK88_2022_CHN.pdf LFPAK88 將功率密度提升到新高度 Leaflet 2022-03-10
nexperia_document_leaflet_LFPAK88_2022.pdf LFPAK88 - Driving power-density to the next level Leaflet 2022-03-09

Selection guide (1)
文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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交叉參考